公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
0世纪以来,集成电路产业发展迅速,MOS器件是集成电路的重要元器件,需求量持续增大。MOS,是MOSFET的缩写,是金属-氧化物半导体场效应晶体管,具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点,是重要的功率分立器件之一,在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段,围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管是利用VGS去控制“感应电荷”的多少,由此去改变由这些“感应电荷”所形成的导电沟道的状况,以此来控制漏极电流。在管子制造时,通过一些特殊工艺使得绝缘层出现大量的正离子,所以在交界面另一侧可以感测出比较多的负电荷,高渗杂质的N区被这些负电荷接通,导电沟道也就形成了,即便在VGS为0时也会有比较大的漏极电流ID。如果栅极电压发生改变时,沟道里的被感应电荷量也会发生改变,导电沟道中的宽窄也会随着改变,因此漏极电流ID会伴随着栅极电压的变化而发生变化。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管导通的意思就是将其做为开关,等同于开关合闭。NMOS的特点是当Vgs超过限定的值时就会导通,适用与源极接地装置的状况,只需栅压电压做到4V或10V就可以了。而PMOS的特点则是当Vgs低于一定的值就会导通,适用与源极接Vcc的状况。可是,尽管PMOS能够很便捷的作为高i档驱动,但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故,在高i档驱动中,一般都用NMOS。
电子元器件都有电气参数,在选型时要给电子元器件留出足够的余量,才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。
三极管是一种流控型器件,MOS管是压控型器件,两者之间有相似之处,在选择时需要考虑耐压、电流等参数。
1、根据耐压选型
三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO,工作时CE之间的电压不得超过规定值,否则三极管将永i久损坏。
在使用过程中,MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压,工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说,MOS管的耐压值远高于三极管。
2、过电流能力
三极管有ICM参数,即集电极的过电流能力,MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时,流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值,否则器件将会被烧坏。
考虑到工作稳定性,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作温度
商业级芯片:一般范围在0到+70℃;
工业级芯片:一般范围在-40到+85℃;
军i工级芯片:一般范围在-55℃到+150℃;
在进行MOS管选型时,要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4、根据开关频率选择
三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中,必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。
5、其他选型条件
例如,MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。
以上信息由专业从事3080mos价格的炫吉电子于2024/6/30 10:45:46发布
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