公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
mos管,是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。MOS 管作为半导体领域基础的器件之一,不管是在板级电路的应用上,还是IC的设计里,都十分广泛。MOS管的drain和source是可以相互调换过来的的,都是在P型backgate里形成的一个N型区。在普遍的情况下,这两个区都是相同的,就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器件被认为是对称的。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管导通的意思就是将其做为开关,等同于开关合闭。NMOS的特点是当Vgs超过限定的值时就会导通,适用与源极接地装置的状况,只需栅压电压做到4V或10V就可以了。而PMOS的特点则是当Vgs低于一定的值就会导通,适用与源极接Vcc的状况。可是,尽管PMOS能够很便捷的作为高i档驱动,但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故,在高i档驱动中,一般都用NMOS。
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mos管失效的六个原因:
1、电压失效是大家常说漏源间的BVdss电压超出了mosfet的额定电压,而且超出了一定的能力进而导致mosfet失效。
2、电流失效即是超过了mosfet安全工作范围而造成的无效,其中又分为Id超出器件规格而导致的失效以及其Id过大,耗损过高导致器件长期热累积而导致的失效。
3、在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的拓扑结构中,因为体二极管遭到毁坏而导致的无效。
4、在并联的应用过程中,栅极跟电路寄生参数导致波动会造成谐振失效。
5、在干燥的环境中,因为人体跟设备而产生的静电会导致器件的静电无效。
6、因为栅极出现异常工作电压顶i峰,导致栅极电压无效。
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场效应管的主要参数有很多种,其中包含直流电流、交流电流的参数和极限参数,但一般应用时只需关心下列基本参数:饱和状态的漏源电流量IDSS夹断电压Up,跨导gm、漏源击穿电压BUDS、较大损耗输出功率PDSM和较大漏源电流量IDSM。
以上信息由专业从事万芯mos管公司的炫吉电子于2024/6/14 8:13:48发布
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