MOS管FET栅源保护：
1）避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2）避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。
3）安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
现阶段在行业应用层面，排名头一个的是消费类电子器件适配器商品。而按照对MOS管的主要用途掌握，需求MOS管排名在第二的是计算机主板、NB、计算机电源适配器、LCD显示器等商品。在伴随着基本国情的发展趋势，计算机主板、计算机电源适配器、LCD显示器对MOS管的要求有要超出消费类电子器件适配器的状况了。
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估测场效应管的放大能力
把万用表调到R×100档时，用红表笔去接源极S，用黑表笔去接漏极D，这就好像是给场效应管加上了1.5V的电压。这个时候表针指示的就是D-S极间的电阻值。这个时候用手指去捏栅极G，把人体的感应电压当做输入信号去加到栅极上时。因为管子放大的作用，ID和UDS都会变化，意思就是D-S极间的电阻发生了变化，我们可以观察到此时表针有较大的摆动幅度。假如手捏栅极时，表针的摆动幅度很小，也就是说管子的放大能力比较弱；如果表针没有丝毫动作，说明管子已经损坏了。
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mos管失效的六个原因：
1、电压失效是大家常说漏源间的BVdss电压超出了mosfet的额定电压，而且超出了一定的能力进而导致mosfet失效。
2、电流失效即是超过了mosfet安全工作范围而造成的无效，其中又分为Id超出器件规格而导致的失效以及其Id过大，耗损过高导致器件长期热累积而导致的失效。
3、在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的拓扑结构中，因为体二极管遭到毁坏而导致的无效。
4、在并联的应用过程中，栅极跟电路寄生参数导致波动会造成谐振失效。
5、在干燥的环境中，因为人体跟设备而产生的静电会导致器件的静电无效。
6、因为栅极出现异常工作电压顶i峰，导致栅极电压无效。
以上信息由专业从事2090mos生产厂家的炫吉电子于2024/4/21 9:08:20发布
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