微焦点X射线检测
主要技术参数:
1、开放式球管射线源,高管电压160kV,大管电流1mA,大靶功率7W
2、焦点尺寸2µm
3、探测器倾斜角度为±70°,图像≥100万像素,灰度等级为16位
4、载物台可绕旋转轴360度旋转
5、大可检测样品重量5Kg
6、大可检测样品尺寸为
460mm×410mm×300mm
用途:可用于半导体产品、微电子元件、电路板焊接器件等电子产品焊点质量检测及多余物检测,也可进行小直径管焊缝质量检测。
热阻测试仪应用范围:各种三极管、二极管等半导体分立器件,包括:常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。 各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构 。 各种复杂的散热模组的热特性测试,如热管、风扇等。 半导体器件结温测量。 半导体器件稳态热阻及瞬态热阻抗测量。 半导体器件封装内部结构分析,包括器件封装内部每层结构(芯片+焊接层+热沉等)的热阻和热容参数。 半导体器件老化试验分析和封装缺陷诊断,帮助用户准确定位封装内部的缺陷结构。 材料热特性测量(导热系数和比热容)。 接触热阻测量,包括导热胶、新型热接触材料的导热性能测试。渗透检测(PT)原理:零件表面被施涂含有荧光染料或着色染料的渗透剂后,在毛细管作用下,经过一段时间,渗透液可以渗透进表面开口缺陷中;经去除零件表面多余的渗透液后,再在零件表面施涂显像剂,同样,在毛细管的作用下,显像剂将吸引缺陷中保留的渗透液,渗透液回渗到显像剂中,在一定的光源下(紫外线光或白光),缺陷处的渗透液痕迹被现实,(黄绿色荧光或鲜艳红色),从而探测出缺陷的形貌及分布状态。热阻电性规格:
加热电流测量精度(低电流测量: 0.2, 1 和2 安培测量)
2A 系统: ±1mA 10A 系统: ±5mA 20A 系统: (±10mA)
加热电流测量精度(高电流测量: 2, 10 和20 安培测量):
2A 系统: ±4mA 10A 系统: ±20mA 20A 系统: (±40mA)
加热电压测量精度: ±0.25% ,0~30V
热电偶测量精度(T 型): 典型 ±0.1°C
交流电压:220VAC,10A,50/60Hz
器件的测试的供电电压: 20V(标配),其他的是选配。
器件的测试的供电电流: 30A(标配),选配(100A 200A,400A,800A,1000A及更高电流)
节温的感应电流:1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(标配),100mA,500mA,1000mA,2500mA是选配。
数据采样频率1MHz
结温精度±0.1°C 分辨率:±0.007°C。
以上信息由专业从事失效分析设备的苏州特斯特于2024/4/25 7:41:14发布
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